1996 微芯 技术 公司 ds21081d-页 1
特性
• 单独的 供应 和 运作 从 4.5-5.5v
• 低 电源 cmos 技术
- 1 毫安 起作用的 电流 典型
- 10
µ
一个 备用物品 电流 典型 在 5.5v
• 有组织的 作 4 或者 8 blocks 的 256 字节
(4 x 256 x 8) 或者 (8 x 256 x 8)
• 2-线 串行 接口 总线, i
2
C
兼容
• 施密特 触发, filtered 输入 为 噪音 suppres-
sion
• 输出 斜度 控制 至 eliminate 地面 bounce
• 100 khz 兼容性
• 自-安排时间 写 循环 (包含 自动-擦掉)
• 页-写 缓存区 为 向上 至 16 字节
• 2 ms 典型 写 循环 时间 为 页-写
• 硬件 写 保护 为 全部 记忆
• 能 是 运作 作 一个 串行 只读存储器
• 静电释放 保护 > 4,000v
• 1,000,000 擦掉/写 循环 有保证的
• 数据 保持 > 200 年
• 8-管脚 插件, 8-含铅的 或者 14-含铅的 soic 包装
• 有 为 扩展 温度 范围
描述
这 微芯 技术 公司 24c08b/16b 是 一个 8k 或者
16k 位 用电气 可擦掉的 prom 将 为 使用 在
扩展/automotive 温度 范围. 这 设备
是 有组织的 作 四 或者 第八 blocks 的 256 x 8-位 mem-
ory 和 一个 2-线 串行 接口. 这 24c08b/16b 也
有 一个 页-写 能力 为 向上 至 16 字节 的 数据.
这 24c08b/16b 是 有 在 这 标准 8-管脚 插件
和 两个都 8-含铅的 和 14-含铅的 表面 挂载 soic 包装-
ages.
- automotive (e): -40˚c 至 +125˚C
包装 类型
块 图解
NC
SS
CC
A0
A1
NC
A2
NC
V
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
NC
SCL
SDA
NC
9
8
11
10
WP
V
NC
14-含铅的
SOIC
24c08b/16b
24c08b/16b
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
24c08b/16b
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
PDIP
8-含铅的
SOIC
hv 发生器
可擦可编程只读存储器
排列
页 latches
YDEC
XDEC
sense 放大
r/w 控制
记忆
控制
逻辑
i/o
控制
逻辑
WP
SDA SCL
V
CC
V
SS
24c08b/16b
8k/16k 5.0v i
2
C
串行 eeproms
I
2
c 是 一个 商标 的 飞利浦 公司.
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