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资料编号:180000
 
资料名称:BS250
 
文件大小: 50K
   
说明
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
机械的 数据
情况:
至-92 塑料 包装
重量:
approx. 0.18 g
最大 比率 和 电的 特性
dmos 晶体管 (p-频道)
G
S
D
.181 (4.6)
最小值 .492 (12.5)
.181 (4.6)
.142 (3.6)
维度 在 英寸 和 (毫米)
至-92
比率 在
25 °c
.098 (2.5)
最大值
.
.022 (0.55)
4/98
BS250
inverse 二极管
标识 单位
流-源 电压 –V
DSS
60 V
流-门 电压 –V
DGS
60 V
门-源 电压 (搏动) V
GS
± 20 V
流 电流 (持续的) –I
D
250 毫安
电源 消耗 在 t
amb
= 25 °c P
tot
0.83
1)
W
接合面 温度 T
j
150 °C
存储 温度 范围 T
S
–65 至+150 °C
1)
有效的 提供 那 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况.
标识 单位
最大值 向前 电流 (持续的)
在 t
amb
= 25 °c
I
F
0.3 一个
向前 电压 漏出 (典型值.)
在 v
GS
= 0, i
F
= 0.12 一个, t
j
= 25 °c
V
F
0.85 V
高 输入 阻抗
高-速 切换
非 minority 运输车 存储 时间
cmos 逻辑 兼容 输入
非 热的 runaway
非 secondary 损坏
在 特定的 要求, 这个 晶体管 是 也 制造的
在 这 管脚 配置 至-18.
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