4/21/04
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smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
V
DSS
R
ds(在)
典型值 I
D
500V 290m
Ω
6.7a
至-220
全部-pak
IRFIB8N50K
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 W
直线的 减额 因素 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 V
dv/dt
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
e
v/ns
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw n•m (lbf•in)
avalanche 特性
参数 典型值 最大值 单位
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
d
––– 290 mJ
I
AR
avalanche 电流
c
––– 6.7 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
c
––– 4.5 mJ
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 2.76 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 65
-55 至 + 150
300 (1.6mm 从 情况 )
1.1(10)
最大值
6.7
4.2
27
45
0.36
±30
17
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