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CAT28F001
1 megabit cmos 激励 块 flash 记忆
特性
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快 读 进入 时间: 70/90/120/150 ns
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在-碎片 地址 和 数据 latches
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blocked architecture
— 一个 8 kb 激励 块 w/ 锁 输出
• 顶 或者 bottom locations
— 二 4 kb 参数 blocks
— 一个 112 kb 主要的 块
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低 电源 cmos 运作
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12.0v
±
5% 程序编制 和 擦掉 电压
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automated 程序 &放大; 擦掉 algorithms
■
高 速 程序编制
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商业的, 工业的 和 automotive
温度 范围
28f001 f01
■
深的 powerdown 模式
— 0.05
µ
一个 i
CC
典型
— 0.8
µ
一个 i
PP
典型
■
硬件 数据 保护
■
电子的 signature
■
100,000 程序/擦掉 循环 和 10 年
数据 保持
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电子元件工业联合会 标准 pinouts:
— 32 管脚 插件
— 32 管脚 plcc
— 32 管脚 tsop
■
重置/深的 电源 向下 模式
i/o
0
–i/o
7
i/o 缓存区
ce, oe 逻辑
SENSE
放大
数据
获得
擦掉 电压
转变
COMMAND
寄存器
CE
OE
我们
电压 核实
转变
地址 获得
y-解码器
x-解码器
y-gating
8k-字节 激励 块
4k-字节 参数 块
4k-字节 参数 块
112k-字节 主要的 块
一个
0
–A
16
写 状态
机器
地址
计数器
状态
寄存器
比较器
程序 电压
转变
RP
块 图解
描述
这 cat28f001 是 一个 高 速 128k x 8 位 用电气
可擦掉的 和 reprogrammable flash 记忆 ideally
suited 为 产品 需要 在-系统 或者 之后 出售
代号 updates.
这 cat28f001 有 一个 blocked architecture 和 一个 8
kb 激励 块, 二 4 kb 参数 blocks 和 一个 112
kb 主要的 块. 这 激励 块 部分 能 是 在 这 顶
或者 bottom 的 这 记忆 编排 和 包含 一个 reprogram-
ming 写 锁 输出 特性 至 保证 数据 integrity. 它
是 设计 至 包含 secure 代号 这个 将 bring 向上
这 系统 minimally 和 下载 代号 至 其它 loca-
tions 的 cat28f001.
这 cat28f001 是 设计 和 一个 signature 模式
这个 准许 这 用户 至 identify 这 ic 生产者 和
设备 类型. 这 cat28f001 是 也 设计 和 在-
碎片 地址 latches, 数据 latches, 程序编制 和
擦掉 algorithms.
这 cat28f001 是 制造的 使用 catalyst’s ad-
vanced cmos floating 门 技术. 它 是 设计
至 endure 100,000 程序/擦掉 循环 和 有 一个 数据
保持 的 10 年. 这 设备 是 有 在 电子元件工业联合会
批准 32-管脚 塑料 插件, plcc 或者 tsop 包装.
© 1998 用 catalyst 半导体, 公司
特性 主题 至 改变 没有 注意
licensed intel
第二 源
doc. 非. 25071-00 2/98 f-1
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