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fcp11n60f/fcpf11n60f rev. 一个
fcp11n60f/fcpf11n60f 600v n-频道 场效应晶体管
SuperFET
TM
FCP11N60F
/fcpf11n60f
600v n-频道 场效应晶体管
特性
• 650v @t
J
= 150°c
•typ. r
ds(在)
= 0.32
Ω
• 快 恢复 类型 ( t
rr
= 120ns)
• 过激 低 门 承担 (典型值. q
g
= 40nc)
• 低 有效的 输出 电容 (典型值. c
oss
eff.=95pf)
• 100% avalanche 测试
描述
SuperFET
TM
是, farichild’s 专卖的, 新 一代 的 高
电压 场效应晶体管 家族 那 是 utilizing 一个 先进的 承担
balance mechanism 为 优秀的 低 在-阻抗 和
更小的 门 承担 效能.
这个 先进的 技术 有 被 tailored 至 降低
传导 丧失, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 extreme dv/dt 比率 和 高等级的 avalanche 活力.
consequently, superfet 是 非常 合适的 为 各种各样的 交流/直流
电源 转换 在 切换 模式 运作 为 系统
miniaturization 和 高等级的 效率.
绝对 最大 比率
* 流 电流 限制 用 最大 接合面 termperature.
热的 特性
!
"
!
!
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"
"
"
!
"
!
!
!
"
"
"
S
D
G
至-220
G
S
D
至-220f
G
S
D
标识 参数 FCP11N60F FCPF11N60F 单位
I
D
流 电流 - 持续的 (t
C
=25°C) 11 11* 一个
- 持续的 (t
C
= 100°c) 7 7 * 一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
33 33 * 一个
V
GSS
门-源 电压
±
30 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
340 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
11 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
12.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
4.5 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25°c) 125 36 * W
- 减额 在之上 25°c 1.0 0.29 * w/°c
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8
"
从 情况 为 5 秒
300 °C
标识 参数 FCP11N60F FCPF11N60F 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 1.0 3.5 °C
/
W
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 0.5 -- °C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5 62.5 °C
/
W
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