HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRLZ34N
pd - 9.1307b
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 这
最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗
水平 至 大概 50 watts. 这 低 热的 阻抗
和 低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
逻辑-水平的 门 驱动
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.035
Ω
I
D
= 30a
S
D
G
至-220ab
8/25/97
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 –––– –––– 2.2
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 –––– 0.50 –––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 –––– –––– 62
热的 阻抗
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 30
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 21 一个
I
DM
搏动 流 电流
110
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 68 W
直线的 减额 因素 0.45 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
110 mJ
I
AR
avalanche 电流
16 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
6.8 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
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