HEXFET
®
电源 场效应晶体管
2/2/00
IRF7555
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
热的 阻抗
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
100 °c/w
参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 -20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -4.3
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -3.4 一个
I
DM
搏动 流 电流
-34
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
1.25 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
0.8 W
直线的 减额 因素 10 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
36 mj
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
1.1 v/ns
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
焊接 温度, 为 10 秒 240 (1.6mm 从 情况)
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.055
Ω
Micro8
新 trench hexfet
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 新 micro8
包装 有 half 这 footprint 范围 的 这
标准 所以-8. 这个 制造 这 micro8 一个 完美的 包装 为
产品 在哪里 打印 电路 板 空间 是 在 一个 premium.
这 低 profile (<1.1mm) 的 这 micro8 将 准许 它 至 合适 容易地
在 极其 薄的 应用 环境 此类 作 可携带的
electronics 和 pcmcia cards.
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
●
trench 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
双 p-频道 场效应晶体管
●
非常 小 soic 包装
●
低 profile (<1.1mm)
●
有 在 录音带 &放大; 卷轴
描述
pd -91865b
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