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资料编号:623793
 
资料名称:SSS6N70A
 
文件大小: 637.39K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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avalanche 坚毅的 技术
坚毅的 门 oxide 技术
更小的 输入 电容
改进 门 承担
扩展 safe 运行 范围
更小的 泄漏 电流 : 25
µ
一个 (最大值.) @ v
DS
= 700v
低 r
ds(在)
(典型值.)
先进的 电源 场效应晶体管
热的 阻抗
特性
绝对 最大 比率
流-至-源 电压
持续的 流 电流 (t
C
=25
Ο
C
)
持续的 流 电流 (t
C
=100
Ο
C
)
流 电流-搏动
门-至-源 电压
单独的 搏动 avalanche 活力
avalanche 电流
repetitive avalanche 活力
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
总的 电源 消耗 (t
C
=25
Ο
C
)
直线的 减额 因素
运行 接合面 和
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8从 情况 为 5-秒
典型的 单位标识
I
DM
V
GS
E
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
w/
Ο
C
一个
Ο
C
V
DSS
V
至-220f
1.门 2. 流 3. 源
3
2
1
O
1
O
2
O
3
O
1
O
1
接合面-至-情况
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
Ο
C
/w
典型的 最大值
单位
标识 典型值
SSS6N70A
BV
DSS
= 700 v
R
ds(在)
= 1.8
I
D
= 4 一个
700
4
2.5
24
560
4
4
2.5
40
0.32
- 55 至 +150
300
3.13
62.5
--
--
30
+
_
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b
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