4-23
低 电流, 高 效能
npn 硅 双极 晶体管
技术的 数据
描述
hewlett-packard’s 在-30511 和
在-30533 是 高 效能
npn 双极 晶体管 那 有
被 优化 为 最大 f
T
在
低 电压 运作, 制造
它们 完美的 为 使用 在 电池
powered 产品 在 无线的
markets. 这 在-30533 使用 这 3
含铅的 sot-23, 当 这 在-30511
places 这 一样 消逝 在 这 高等级的
效能 4 含铅的 sot-143. 两个都
包装 是 工业 标准,
和 兼容 和 高 容积
表面 挂载 组装
技巧.
这 3.2 micron 发射级-至-发射级
程度 和 减少 parasitic 设计
的 这些 晶体管 产量
极其 高 效能
产品 那 能 执行 一个 multi-
plicity 的 tasks. 这 5 发射级
finger interdigitated geometry
产量 一个 极其 快 晶体管
和 高 增益 和 低 运行
电流.
特性
• 高 效能 双极
晶体管 优化 为
低 电流, 低 电压
运作
• 900 mhz 效能:
在-30511: 1.1 db nf, 16 dB G
一个
在-30533: 1.1 db nf, 13 dB G
一个
• 典型 为 终止-的-
生命 电池 使用 (2.7 v)
• sot-23 和 sot-143 smt
塑料 包装
• 录音带-和-卷轴 包装
选项 有
[1]
优化 效能 在 2.7 v
制造 这些 设备 完美的 为 使用
在 900 mhz, 1.8 ghz, 和 2.4 ghz
电池 运作 系统 作 一个
lna, 增益 平台, 缓存区, 振荡器,
或者 起作用的 mixer. 典型 放大器
设计 在 900 mhz yield 1.3 db
噪音 计算数量 和 13 db 或者 更多
有关联的 增益 在 一个 2.7 v, 1 毫安
偏差. 电压 breakdowns 是 高
足够的 为 使用 在 5 伏特. 高
增益 能力 在 1 v, 1 毫安 制造
这些 设备 一个 好的 合适 为
900␣ mhz pager 产品.
这 在-3 序列 双极 晶体管
是 fabricated 使用 一个 优化
版本 的 hewlett- packard’s
10␣ ghz f
T
, 30 ghz f
最大值
自-
排整齐-晶体管 (sat) 处理.
这 消逝 是 渗氮 钝化的 为
表面 保护. 极好的
设备 统一, 效能
和 可靠性 是 生产 用 这
使用 的 ion-implantation, 自-
排成直线 技巧, 和 金
metalization 在 这 fabrication 的
这些 设备.
在-30511
在-30533
外形 绘画
便条:
1. 谈及 至 “tape-和-卷轴 包装 为
半导体 devices”.
根基 发射级
发射级 COLLECTO
R
根基 发射级
集电级
305
305
sot-23 (在-30533)
sot-143 (在-30511)
5965-8918e
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