IKW50N60T
trenchstop 序列
q
电源 半导体
1 rev. 2.1 dec-04
低 丧失 duopack : igbt 在 trench 和 fieldstop
技术
和 软, 快 恢复 反对-并行的 emcon he 二极管
•
非常 低 v
ce(sat)
1.5 v (典型值.)
•
最大 接合面 温度 175 °c
•
短的 电路 承受 时间 – 5
µ
s
•
设计 为 :
- 频率 转换器
- uninterrupted 电源 供应
•
trench 和 fieldstop 技术 为 600 v 产品 提供 :
- 非常 tight 参数 分发
- 高 强壮, 温度 稳固的 行为
- 非常 高 切换 速
- 低 v
ce(sat)
•
积极的 温度 系数 在 v
ce(sat)
•
低 emi
•
低 门 承担
•
非常 软, 快 恢复 反对-并行的 emcon he 二极管
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :
http://www.infineon.com/igbt/
类型
V
CE
I
C
V
ce(sat
),tj=25°c
T
j,最大值
标记 代号 包装 订货 代号
ikw50n60t 600v 50a 1.5v
175
°
C
k50t60 至-247 q67040s4718
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
600 v
直流 集电级 电流, 限制 用
T
jmax
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
80
1)
50
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
150
转变 止 safe 运行 范围 (
V
CE
≤
600v,
T
j
≤
175
°
c)
-
150
二极管 向前 电流, 限制 用
T
jmax
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
100
50
二极管 搏动 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Fpuls
150
一个
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
短的 电路 承受 时间
2)
V
GE
= 15v,
V
CC
≤
400v,
T
j
≤
150
°
C
t
SC
5
µ
s
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
333 w
运行 接合面 温度
T
j
-40...+175
存储 温度
T
stg
-55...+175
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
1)
值 限制 用 bond 线
2)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
G
C
E
p-至-247-3-1
(至-220ac)
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