最终
Publication#
11559
rev:
H
amendment/
+2
公布 日期:
january 1998
Am28F010
1 megabit (128 k x 8-位)
cmos 12.0 volt, 大(量) 擦掉 flash 记忆
distinctive 特性
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高 效能
— 70 ns 最大 进入 时间
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cmos 低 电源 消耗量
— 30 毫安 最大 起作用的 电流
— 100 µa 最大 备用物品 电流
— 非 数据 保持 电源 消耗量
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兼容 和 电子元件工业联合会-标准 字节-宽
32-管脚 非易失存储器 pinouts
— 32-管脚 pdip
— 32-管脚 plcc
— 32-管脚 tsop
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10,000 写/擦掉 循环 最小
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写 和 擦掉 电压 12.0 v
±
5%
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获得-向上 保护 至 100 毫安
从 –1 v 至 v
CC
+1 v
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Flasherase™
电的 大(量) 碎片-擦掉
— 一个 第二 典型 碎片-擦掉
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flashrite™ 程序编制
— 10 µs 典型 字节-程序
— 二 秒 典型 碎片 程序
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command 寄存器 architecture 为
微处理器/微控制器 兼容
写 接口
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在-碎片 地址 和 数据 latches
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先进的 cmos flash 记忆 技术
— 低 费用 单独的 晶体管 记忆 cell
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自动 写/擦掉 脉冲波 停止 计时器
一般 描述
这 am28f010 是 一个 1 megabit flash 记忆 orga-
nized 作 128 kbytes 的 8 位 各自. amd’s flash mem-
ories 提供 这 大多数 费用-有效的 和 可依靠的 读/
写 非-易变的 随机的 进入 记忆. 这
am28f010 是 packaged 在 32-管脚 pdip, plcc, 和
tsop 版本. 它 是 设计 至 是 reprogrammed
和 erased 在-系统 或者 在 标准 非易失存储器 pro-
grammers. 这 am28f010 是 erased 当 运输
从 这 工厂.
这 标准 am28f010 提供 进入 时间 作 快 作
70 ns, 准许 运作 的 高-速 microproces-
sors 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention,
这 am28f010 有 独立的 碎片 使能 (ce#) 和
输出 使能 (oe#) 控制.
amd’s flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
am28f010 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际, 当 维持 一个 电子元件工业联合会 flash stan-
dard 32-管脚 引脚. 这 command 寄存器 准许 为
100% ttl 水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应
水平 在 擦掉 和 程序编制, 当 维持-
ing 最大 非易失存储器 兼容性.
amd’s flash 技术 reliably stores 记忆 con-
tents 甚至 之后 10,000 擦掉 和 程序 循环. 这
amd cell 是 设计 至 优化 这 擦掉 和 pro-
gramming mechanisms. 在 增加, 这 结合体 的
先进的 tunnel oxide 处理 和 低 内部的
electric 地方 为 擦掉 和 程序编制 行动
生产 可依靠的 cycling. 这 am28f010 使用 一个
12.0V
±
5% v
PP
高 电压 输入 至 执行 这
Flasherase
和 flashrite
algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 amd’s 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上 pro-
tection 是 提供 为 压力 向上 至 100 milliamps 在
地址 和 数据 管脚 从 –1 v 至 v
CC
+1 v.
这 am28f010 是 字节 可编程序的 使用 10 ms pro-
gramming 脉冲 在 一致 和 amd’s flashrite
程序编制 algorithm. 这 典型 房间 温度
程序编制 时间 的 这 am28f010 是 二 秒.
这 全部 碎片 是 大(量) erased 使用 10 ms 擦掉 脉冲
符合 至 amd’s flasherase alrogithm. 典型 era-
确信 在 房间 温度 是 accomplished 在 较少 比
一个 第二. 这 windowed 包装 和 这 15–20
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