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资料编号:328822
 
资料名称:FLM6472-4F
 
文件大小: 254.25K
   
说明
 
介绍:
C-Band Internally Matched FET
 
 


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1
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特性
• 高 输出 电源: P
1dB
= 36.5dbm (典型值.)
• 高 增益: G
1dB
= 9.5db (典型值.)
• 高 pae:
η
增加
= 36% (典型值.)
• 低 im
3
= -46dbc@po = 25.5dbm
• broad 带宽: 6.4 ~ 7.2ghz
• 阻抗 matched zin/zout = 50
• hermetically sealed 包装
1
版本 1.3
8月 2004
flm6472-4f
c-带宽 内部 matched 场效应晶体管
Item
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
频道 温度
标识
V
DS
V
GS
15
-5
25
-65 至 +175
175
T
c
= 25
°
C
V
V
W
°
C
°
C
P
T
T
stg
T
ch
情况 单位
比率
绝对 最大 比率 (包围的 温度 ta=25
°
c)
fujitsu 推荐 这 下列的 情况 为 这 可依靠的 运作 的 gaas fets:
1. 这 流-源 运行 电压 (v
DS
) 应当 不 超过 10 伏特.
2. 这 向前 和 反转 门 电流 应当 不 超过 16.0 和 -2.2 毫安 各自 和
门 阻抗 的 100
.
Item
saturated 流 电流
跨导
pinch-止 电压
门 源 损坏 电压
电源-增加 效率
3rd 顺序 交调
扭曲量
输出 电源 在 1db g.c.p.
电源 增益 在 1db g.c.p.
标识
I
DSS
- 1700 2600
- 1700
-
-0.5 -1.5 -3.0
-5.0 - -
8.5 9.5 -
-36-
35.5 36.5 -
V
DS
= 5v, i
DS
= 85ma
V
DS
= 5v, i
DS
=1100mA
V
DS
= 5v, v
GS
= 0v
I
GS
= -85
µ
一个
V
DS
=10v,
I
DS
=
0.65 i
dss (典型值.),
f = 6.4 ~ 7.2 ghz,
Z
S
=Z
L
= 50 ohm
f = 7.2 ghz,
f = 10 mhz
2-声调 测试
P
输出
= 25.5dbm s.c.l.
毫安
mS
V
dB
%
-44 -46 - dBc
dBm
V
g
m
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
流 电流
- 1100 1300 毫安
I
dsr
IM
3
η
增加
增益 flatness
--
±
0.6 dB
G
测试 情况 单位
限制
典型值
最大值.最小值.
电的 特性 (包围的 温度 ta=25
°
c)
频道 至 情况
热的 阻抗
- 5.0
6.0
°
c/w
R
th
g.c.p.: 增益 压缩 要点, s.c.l.: 单独的 运输车 水平的
情况 样式:
IB
10v x i
dsr
x r
th
频道 温度 上升
-
-
80
°
C
T
ch
描述
这 flm6472-4f 是 一个 电源 gaas 场效应晶体管 那 是 内部 matched 为
标准 交流 bands 至 提供 最佳的 电源 和 增益 在 一个
50 ohm 系统.
Eudyna
s stringent 质量 assurance 程序 assures 这 最高的
可靠性 和 consistent 效能.
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