STD16NE10L
N - 频道 100V - 0.07
Ω
- 16A DPAK
STripFET
电源 场效应晶体管
初步的 数据
■
典型 R
ds(在)
= 0.07
Ω
■
AVALANCHE 坚毅的 技术
■
低 门 承担
■
高 电流 能力
■
175
o
C 运行 温度
■
低 门槛 驱动
■
增加 后缀 ”T4” 为 订货 在 录音带
&放大; 卷轴
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 唯一的 ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理. 这 结果 transi-
贮存 显示 极其 高 包装 密度 为 低
在-阻抗, 坚毅的 avalanche 特性
和 较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 re-
markable 制造 reproducibility.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
SOLENOID 和 接转 驱动器
■
直流-直流 &放大; 直流-交流 转换器
■
AUTOMOTIVE 环境
内部的 图式 图解
将 2000
绝对 最大 比率
Symbol 参数 值 单位
V
DS
流-source Voltage (v
GS
= 0) 100 V
V
DGR
Dra在- gate Voltage (r
GS
=20k
Ω
) 100 V
V
GS
门-源 Voltage
±
20 V
I
D
流 Current (持续的) 在 T
c
=25
o
C16A
I
D
流 Current (持续的) 在 T
c
= 100
o
C11A
I
DM
(
•
) 流 Current (搏动) 64 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C55W
减额 因素 0.36 W/
o
C
dv/dt (
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 7 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 175
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
16a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(o n)
I
D
STD16NE10L 100 V < 0.10
Ω
16 一个
1
3
DPAK
至-252
(后缀 ”t4”)
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