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mrf377 mrf377r3 mrf377r5
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral 场效应晶体管
设计为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies 从 470 至 860 mhz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这个
设备制造 它 完美的 为 large–signal, 一般 源 放大器 产品 在 32
volt 数字的 television 传输者 设备.
•
典型 broadband dvbt ofdm 效能 @ 470–860 mhz, 32 伏特,
I
DQ
= 2.0 一个, 8k 模式, 64 qam
输出 电源 — 45 watts avg.
电源 增益
≥
16.7 db
效率
≥
21%
ACPR
≤
–58 dbc
•
典型 broadband atsc 8vsb 效能 @ 470–860 mhz, 32 伏特,
I
DQ
= 2.0 一个
输出 电源 — 80 watts avg.
电源 增益
≥
16.5 db
效率
≥
27.5%
IMD
≤
–31.3 dbc
•
内部 输入 和 输出 matched 为 使容易 的 使用
•
整体的 静电释放 保护
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 32 vdc, 860 mhz, 45 watts dvbt
ofdm 输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
有 在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
r5 后缀 = 50 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
(1)
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
– 0.5, +15 Vdc
流 电流 – 持续的 I
D
17 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
486
2.78
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.36
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
承担 设备 模型 7 (最小)
(1) 各自 一侧 的 设备 量过的 separately.
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf377/d
半导体 技术的 数据
470 – 860 mhz, 240 w, 32 v
lateral n–channel
rf 电源 场效应晶体管
情况 375g–04, 样式 1
NI–860C3
motorola, 公司 2003
rev 0
F
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一个
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S
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freescale 半导体, 公司
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