1
晶体管
2SD1280
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-电压 类型 中等 输出 电源 放大器
■
特性
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
satisfactory 运作 performances 在 高 效率 和 这
低-电压 电源 供应.
●
迷你 电源 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备
和 自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 maga-
zine 包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:集电级 eiaj:sc–62
3:发射级 迷你 电源 类型 包装
4.5
±
0.1
2.6
±
0.1
2.5
±
0.1
0.4max.1.0
+0.1
–0.2
4.0
+0.25
–0.20
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
1.6
±
0.2
45
°
标记
321
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
比率
20
20
5
2
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
根基 至 发射级 饱和 电压
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
是(sat)
V
ce(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= 10v, i
E
= 0
I
C
= 1ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 2v, i
C
= 500ma
*2
V
CE
= 2v, i
C
= 1.5a
*2
I
C
= 500ma, i
B
= 50ma
*2
I
C
= 1a, i
B
= 50ma
*2
V
CB
= 6v, i
E
= –50ma, f = 200mhz
V
CB
= 6v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
20
5
90
50
典型值
150
100
150
18
最大值
1
360
1.2
0.5
单位
µ
一个
V
V
V
V
MHz
pF
标记 标识 :
R
*1
h
FE1
分级 分类
分级 Q R S T
h
FE1
90 ~ 155 130 ~ 210 180 ~ 280 250 ~ 360
标记 标识 RQ RR RS RT
*2
脉冲波 度量
*
打印 电路 板: 铜 foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 为 这 集电级 portion
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