特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
175
c 接合面 温度
pwm 优化
产品
primary 一侧 转变
sup28n15-52
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71939
s-21375—rev. 一个, 12-8月-02
www.vishay.com
1
n-频道 150-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.052 @ v
GS
= 10 v 28
150
0.060 @ v
GS
= 6 v 26
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
sup28n15-52
流 连接 至 tab
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
150
门-源 电压 V
GS
20
V
T
C
= 25
C 28
持续的 流 电流 (t
J
= 175
c)
b
T
C
= 125
C
I
D
16
搏动 流 电流 I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
28
avalanche 电流 I
AR
25
repetitive avalanche 活力 (职责 循环
1%) l = 0.1 mh E
AR
31 mJ
T
C
= 25
C 120
b
最大 电源 消耗
T
一个
= 25
C
(挂载)
一个
P
D
3.75
一个
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 175
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 单位
pcb 挂载
一个
40
接合面-至-包围的
一个
自由 空气
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 (流) R
thJC
1.25
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x1” fr4 板.
b. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
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