SM2LZ47
2001-07-10
1
toshiba bi
−
directional triode thyristor 硅 planar 类型
SM2LZ47
交流 电源 控制 产品
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 :V
DRM
= 800v
r.m.s. 在
−
状态 电流 :I
t (rms)
= 2a
高 commutation (dv / dt) :(dv / dt) c = 5v / µs (最小值.)
分开 电压 :V
ISOL
=
1
500v 交流
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 V
DRM
800 v
r.m.s. 在
−
状态 电流
(全部 sine 波形)
I
t (rms)
2 一个
8 (50hz)
顶峰 一个 循环 surge 在
−
状态
电流 (非-repetitive)
I
TSM
8.8 (60hz)
一个
I
2
t 限制 值 I
2
t 0.32 一个
2
s
核心的 比率 的 上升 的 在
−
状态
电流 (便条)
di / dt 50 一个 / µs
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
3 w
平均 门 电源 消耗 P
g (av)
0.3 W
顶峰 门 电压 V
FGM
10 v
顶峰 门 电流 I
GM
1.6 一个
接合面 温度 T
j
−
40~125 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
40~125 °c
分开 电压 (交流, t = 1min.) V
ISOL
1500 v
便条: di / dt 测试 情况
V
DRM
= 400v, i
TM
≤
3a, t
gw
≥
10µs, t
gr
≤
250ns, i
gp
= i
GT
× 2.0
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 13
−
10H1A
重量: 1.7g
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