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BB501C
build 在 偏置 电路 mos 场效应晶体管 ic
uhf rf 放大器
ade-208-701c (z)
4th. 版本
十一月 1998
特性
•
build 在 偏置 电路; 至 减少 使用 部分 费用 &放大; pc 板 空间.
•
高 增益;
pg = 21.5 db 典型值 在 f = 900 mhz
•
低 噪音;
nf = 1.85 db 典型值 在 f = 900 mhz
•
承受 至 静电释放;
build 在 静电释放 absorbing 二极管. 承受 向上 至 200v 在 c=200pf, rs=0 情况.
•
提供 迷你 模型 包装; cmpak-4(sot-343mod)
外形
cmpak-4
1. 源
2. gate1
3. gate2
4. 流
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注释: 1. 标记 是 “as–”.
2. bb501c 是 单独的 类型 号码 的 hitachi bbfet.

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BB501C build 在偏置电路 mos 场效应晶体管 ic uhf rf 放大器 ade-208-701c (z) 4th. 版本十一月 1998 特性 • build 在偏置电路; 至减少使用部分费用 &放大; pc 板空间. • 高增益; pg = 21.5 db 典型值在 f = 900 mhz • 低噪音; nf = 1.85 db 典型值在 f = 900 mhz • 承受至静电释放; build 在静电释放 absorbing 二极管. 承受向上至 200v 在 c=200pf, rs=0 情况. • 提供迷你模型包装; cmpak-4(sot-343mod) 外形 cmpak-4 1. 源 2. gate1 3. gate2 4. 流 1 4 3 2 注释: 1. 标记是 “as–”. 2. bb501c 是单独的类型号码的 hitachi bbfet.

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