将 2002
2002 仙童 半导体 国际的
fdw6923 rev. d(w)
FDW6923
p-频道 2.5v 指定 powertrench
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
一般 描述
这个 p-频道 2.5v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚毅的
门 版本 的 仙童 半导体’s 先进的
powertrench 处理. 它 是 联合的 和 一个 低
向前 漏出 肖特基 二极管 这个 是 分开的 从 这
场效应晶体管, 供应 一个 紧凑的 电源 解决方案 为
异步的 直流/直流 转换器 产品.
产品
•
直流/直流 转换
特性
•
–3.5 一个, –20 v. r
ds(在)
= 0.045
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 0.075
Ω
@ v
GS
= –2.5 v
•
V
F
< 0.55 v @ 1 一个
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
低 profile tssop-8 包装
D
S
S
G
C
一个
一个
一个
tssop-8
管脚 1
4
3
2
1
5
6
7
8
场效应晶体管 绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压
–
20
V
V
GSS
门-源 电压
±
12
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
–
3.5
一个
– 搏动
–
30
P
D
场效应晶体管 电源 消耗 (最小 垫子)
(便条 1)
肖特基 电源 消耗 (最小 垫子)
(便条 1)
1.2
1.0
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
肖特基 最大 比率
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压 20 V
I
F
平均 向前 电流 1.5 一个
I
FM
顶峰 向前 电流 30 一个
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(最小 垫子)
(便条 1)
场效应晶体管: 115
肖特基: 130
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
6923 fdw6923 13’’ 16mm 3000 单位
FDW6923
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