ds05-20862-3e
fujitsu 半导体
数据SHEET
flash 记忆
CMOS
4m (512k
×
8/256k
×
16) 位
MBM29LV400TC
-70/-90/-12
/mbm29lv400bc
-70/-90/-12
■
特性
• 单独的 3.0 v 读, 程序, 和 擦掉
降低 系统 水平的 电源 (所需的)东西
• 兼容 和 电子元件工业联合会-标准 commands
使用 一样 软件 commands 作 e
2
PROMs
• 兼容 和 电子元件工业联合会-标准 world-宽 pinouts
48-管脚 tsop(i) (包装 后缀: pftn – 正常的 bend type, pftr – 使反转 bend type)
44-管脚 sop (包装 后缀: pf)
48-管脚 csop (包装 后缀: pcv)
48-球 fbga (包装 后缀: pbt)
• 最小 100,000 程序/擦掉 循环
• 高 效能
70 ns 最大 进入 时间
• sector 擦掉 architecture
一个 8k 文字, 二 4k words, 一个 16k 文字, 和 七 32k words sectors 在 文字 模式
一个 16k 字节, 二 8k 字节, 一个 32k 字节, 和 七 64k 字节 sectors 在 字节 模式
任何 结合体 的 sectors 能 是 concurrently erased. 也 supports 全部 碎片 擦掉
• 激励 代号 sector architecture
t = 顶 sector
b = bottom sector
• embedded 擦掉
TM
Algorithms
automatically preprograms 和 erases 这 碎片 或者 任何 sector
• embedded 程序
TM
Algorithms
automatically 写 和 核实 数据 在 指定 地址
•Data
polling 和 toggle 位 特性 为 发现 的 程序 或者 擦掉 循环 completion
• 准备好/busy 输出 (ry/用
)
硬件 方法 为 发现 的 程序 或者 擦掉 循环 completion
• 自动 睡眠 模式
当 地址 仍然是 稳固的, automatically 转变 themselves 至 低 电源 模式
•low v
CC
写 inhibit
≤
2.5 v
• 擦掉 suspend/重新开始
suspends 这 擦掉 运作 至 准许 一个 读 在 另一 sector 在里面 这 一样 设备
(持续)
embedded 擦掉
TM
和 embedded 程序
TM
是 商标 的 先进的 微观的 设备, 公司
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