飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 BSP100
TrenchMOS
晶体管
特性 标识 快 涉及 数据
•
’Trench’
技术 V
DSS
= 30 v
• 低 在-状态 阻抗
• 快 切换 I
D
= 6 一个
• 高 热的 cycling 效能
• 低 热的 阻抗 R
ds(在)
≤
100 m
Ω
(v
GS
= 10 v)
R
ds(在)
≤
200 m
Ω
(v
GS
= 4.5 v)
一般 描述 固定 SOT223
n-频道 增强 模式
管脚 描述
地方-效应 晶体管 在 一个 塑料
封套 使用 ’
trench
’ 1 门
技术.
2 流
产品:-
• 发动机 和 接转 驱动器 3 源
• d.c. 至 d.c. 转换器
• 逻辑 水平的 翻译 4 流 (tab)
这 BSP100 是 有提供的 在 这
SOT223 表面 挂载
包装.
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DSS
流-源 电压 T
j
= 25 ˚c 至 150˚c - 30 V
V
DGR
流-门 电压 T
j
= 25 ˚c 至 150˚c; r
GS
= 20 k
Ω
-30v
V
GS
门-源 电压 -
±
20 V
I
D
持续的 流 电流 T
sp
= 25 ˚c - 6
1
一个
T
sp
= 100 ˚c - 4.4 一个
T
amb
= 25 ˚c - 3.2 一个
I
DM
搏动 流 电流 T
sp
= 25 ˚c - 24 一个
P
D
总的 电源 消耗 T
sp
= 25 ˚c - 8.3 W
T
j
, t
stg
运行 接合面 和 - 65 150 ˚C
存储 温度
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-sp
热的 阻抗 接合面 至 表面 挂载, fr4 12 15 k/w
焊盘 要点 板
R
th j-amb
热的 阻抗 接合面 至 表面 挂载, fr4 70 - k/w
包围的 板
d
g
s
4
1
23
1
持续的 电流 比率 限制 用 包装
二月 1999 1 rev 1.000
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