1/33march 2000
M29W800AT
M29W800AB
8 Mbit (1mb x8 或者 512Kb x16, 激励 块)
低 电压 Single 供应 Flash 记忆
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2.7v 至 3.6v 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
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进入 时间: 80ns
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程序编制 时间: 10
µ
s 典型
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程序/擦掉 控制 (p/e.c.)
– 程序 字节-用-字节 或者 文字-用-文字
– 状态 寄存器 位 和 准备好/busy 输出
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安全 保护 记忆 范围
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操作指南 地址 编码: 3 digits
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记忆 BLOCKS
– 激励 块 (顶 或者 Bottom location)
– 参数 和 主要的 blocks
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块, multi-块 和 碎片 擦掉
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MULTI 块 保护/temporary
UNPROTECTION 模式
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擦掉 SUSPEND 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 Suspend
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低 电源 消耗量
– 保卫-用 和 自动 保卫-用
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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20 年 数据 保持
– Defectivity 在下 1ppm/年
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电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号, m29w800at: D7h
– Bottom 设备 代号, m29w800ab: 5Bh
图示 1. 逻辑 图解
AI02599
19
a0-a18
W
dq0-dq14
V
CC
M29W800AT
M29W800AB
E
V
SS
15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
44
1
FBGA
TSOP48 (n)
12 x 20mm
SO44 (m)
LFBGA48 (za)
8 x 6 焊盘 balls
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