05/15/02
GA500TD60U
"half-桥" igbt 双 int-一个-pak
特性
V
CES
=
600
V
V
CE
(在) 典型值
= 1.9v
@V
GE
=
15V
,
I
C
=
500A
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 - igbt — 0.08
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -二极管 — 0.20 °c/w
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 - 单元 0.1 —
挂载 torque, 情况-至-散热器
— 6.0 n m
挂载 torque, 情况-至-终端 1, 2 &放大; 3
— 5.0
重量 的 单元 400 — g
热的 / 机械的 特性
过激-快
TM
速 igbt
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 500
I
CM
搏动 集电级 电流
1000 一个
I
LM
顶峰 切换 电流
1000
I
FM
顶峰 二极管 向前 电流 500
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
V
ISOL
rms 分开 电压, 任何 终端 至情况, t = 1 最小值 2500
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 1550 W
P
D
@ t
C
= 85°c 最大 电源 消耗 800
T
J
运行 接合面 温度 范围 -40 至 +150 °C
T
STG
存储 温度 范围 -40 至 +125
• ultrafast: 优化 为 高 运行
发生率 8-40 khz 在 hard 切换, >200
khz 在 resonant 模式
• 非常 低 传导 和 切换 losses
• hexfred
™
antiparallel 二极管 和 过激- 软
恢复
• 工业 标准 包装
• ul 批准
益处
• 增加 运行 效率
• 直接 挂载 至 散热器
• 效能 优化 为 电源 转换: ups,
smps, welding
• 更小的 emi, 需要 较少 snubbing
• 一代 4 igbt 技术
.
www.irf.com 1
pd - 50048d
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