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资料编号:627890
 
资料名称:SUP65P04-15
 
文件大小: 57.45K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


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sup/sub65p04-15
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71174
s-00831—rev. 一个, 01-将-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
p-频道 40-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–40
0.015 @ v
GS
= –10 v
–65
–40
= –4.5 v –50
sup65p04-15
sub65p04-15
流 连接 至 tab
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
至-263
SG
顶 视图
D
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–40
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 流 电流
(t 175
c)
T
C
= 25
C
I
D
–65
一个
(t
J
= 175
c)
T
C
= 125
C
I
D
–37
一个
搏动 流 电流 I
DM
–240
一个
avalanche 电流 I
AR
–60
repetitive avalanche 活力
一个
l = 0.1 mh E
AR
180 mJ
电源 消耗
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263)
P
D
120
c
wpower 消耗
T
一个
= 25
c (至-263)
b
P
D
3.75
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 限制 单位
接合面-至-包围的
pcb 挂载 (至-263)
b
R
thJA
40
c/w
接合面-至-包围的
自由 空气 (至-220ab) R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
1.25
注释:
一个. 职责 循环
b. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
c. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
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