©2001 硅 存储 技术, 公司
s71150-03-000 6/01 395
1
这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
mpf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit (x8) multi-目的 flash
sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040
sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040
特性:
• 有组织的 作 64k x8 / 128k x8 / 256k x8 / 512k x8
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 3.0-3.6v 为 sst39lf512/010/020/040
– 2.7-3.6v 为 sst39vf512/010/020/040
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量:
–
起作用的 电流: 10 毫安 (典型)
–
备用物品 电流: 1 µa (典型)
•
sector-擦掉 能力
–
uniform 4 kbyte sectors
•
快 读 进入 时间:
–
45 ns 为 sst39lf512/010/020/040
–
55 ns 为 sst39lf020/040
–
70 和 90 ns 为 sst39vf512/010/020/040
•
latched 地址 和 数据
•
快 擦掉 和 字节-程序:
–
sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
碎片-擦掉 时间: 70 ms (典型)
–
字节-程序 时间: 14 µs (典型)
–
碎片 rewrite 时间:
1 第二 (典型) 为 sst39lf/vf512
2 秒 (典型) 为 sst39lf/vf010
4 秒 (典型) 为 sst39lf/vf020
8 秒 (典型) 为 sst39lf/vf040
•
自动 写 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
终止-的-写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
cmos i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准
–
flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
•
包装 有
–
32-含铅的 plcc
–
32-含铅的 tsop (8mm x 14mm)
–
48-球 tfbga (6mm x 8mm) 为 1 mbit
产品 描述
这 sst39lf512/010/020/040 和 sst39vf512/010/
020/040 是 64k x8, 128k x8, 256k x8 和 5124k x8
cmos multi-目的 flash (mpf) 制造的 和
SST
’
s 专卖的, 高 效能 cmos superflash
技术. 这 分割-门 cell 设计 和 厚 oxide tun-
neling injector attain 更好的 可靠性 和 manufacturability
对照的 和 alternate approaches. 这 sst39lf512/
010/020/040 设备 写 (程序 或者 擦掉) 和 一个 3.0-
3.6v 电源 供应. 这 sst39vf512/010/020/040
设备 写 和 一个 2.7-3.6v 电源 供应. 这 设备
遵从 至 电子元件工业联合会 标准 pinouts 为 x8 memories.
featuring 高 效能 字节-程序, 这
sst39lf512/010/020/040 和 sst39vf512/010/020/
040 设备 提供 一个 最大 字节-程序 时间 的 20
µsec. 这些 设备 使用 toggle 位 或者 data# polling 至 indi-
cate 这 completion 的 程序 运作. 至 保护
相反 inadvertent 写, 它们 有 在-碎片 硬件 和
软件 数据 保护 schemes. 设计, manufac-
tured, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 它们
是 offered 和 一个 有保证的 忍耐力 的 10,000 循环.
数据 保持 是 评估 在 更好 比 100 年.
这 sst39lf512/010/020/040 和 sst39vf512/010/
020/040 设备 是 suited 为 产品 那 需要
便利的 和 economical updating 的 程序, configu-
限定, 或者 数据 记忆. 为 所有 系统 产品, 它们
significantly 改进 效能 和 可靠性, 当 低-
ering 电源 消耗量. 它们 本质上 使用 较少 活力
在 擦掉 和 程序 比 alternative flash technolo-
gies. 这 总的 活力 consumed 是 一个 函数 的 这
应用 电压, 电流, 和 时间 的 应用. 自从 为
任何 给 电压 范围, 这 superflash 技术 使用
较少 电流 至 程序 和 有 一个 shorter 擦掉 时间, 这
总的 活力 consumed 在 任何 擦掉 或者 程序 oper-
ation 是 较少 比 alternative flash 科技. 这些
设备 也 改进 flexibility 当 lowering 这 费用 为
程序, 数据, 和 配置 存储 产品.
这 superflash 技术 提供 fixed 擦掉 和 pro-
gram 时间, 独立 的 这 号码 的 擦掉/程序
循环 那 有 occurred. 因此 这 系统 软件
或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者 de-评估 作 是
需要 和 alternative flash 科技, 谁的 擦掉
和 程序 时间 增加 和 accumulated 擦掉/pro-
gram 循环.
至 满足 表面 挂载 (所需的)东西, 这 sst39lf512/
010/020/040 和 sst39vf512/010/020/040 设备 是
offered 在 32-含铅的 plcc 和 32-含铅的 tsop 包装. 这
39lf/vf010 是 也 offered 在 一个 48-球 tfbga 包装.
看 计算数量 1 和 2 为 pinouts.
sst39lf/vf512 / 010 / 020 / 0403.0 &放大; 2.7v 512kb / 1mb / 2mb / 4mb (x8) mpf memories
: 点此下载
