fedd5118165f-01
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半导体
这个 版本: 六月. 2000
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MSM5118165F
1,048,576-文字
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16-位 动态 内存 : 快 页 模式 类型 和 edo
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描述
这 msm5118165f 是 一个 1,048,576-文字
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16-位 动态 内存 fabricated 在 oki’s 硅-门 cmos
技术. 这 msm51v18165f achieves 高 integration, 高-速 运作, 和 low-power
消耗量 因为 oki manufactures 这 设备 在 一个 quadruple-layer polysilicon/翻倍-layer metal
cmos 处理. 这 msm5118165f 是 有 在 一个 42-管脚 塑料 soj 或者 50/44-管脚 塑料 tsop.
特性
·
1,048,576-文字
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16-位 配置
·
单独的 5v 电源 供应,
±
10% 容忍
·
输入 : ttl 兼容, 低 输入 电容
·
输出 : ttl 兼容, 3-状态
·
Refresh : 1024 循环/16ms
·
快 页 模式 和 edo, 读 modify 写 能力
·
CAS
在之前
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS
-仅有的 refresh 能力
· 包装
42-管脚 400mil 塑料 soj
(
soj42-p-400-1.27
)
(产品 : msm5118165f-xxjs)
50/44-管脚 400mil 塑料 tsop
(
tsopii50/44-p-400-0.80-k
)
(产品 : msm5118165f-xxts-k)
xx indicates 速 分级.
产品 家族
进入 时间 (最大值.) 电源 消耗
家族
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
循环 时间
(最小值.)
运行
(最大值.)
备用物品
(最大值.)
50ns 25ns 13ns 13ns 84ns 743mW
60ns 30ns 15ns 15ns 104ns 688mWMSM5118165F
70ns 35ns 20ns 20ns 124ns 633mW
5.5mw
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