mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21562-sp
转移-模型 类型
insulated 类型
jul. 2005
ps21562-sp
整体的 电源 功能
600v/5a 低-丧失 5
th
一代 igbt 反相器 桥 为
三 阶段 直流-至-交流 电源 转换.
打开 发射级 类型.
应用
ac100v~200v 反相器 驱动 为 小 电源 发动机 控制.
图. 1 包装 轮廓
mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21562-sp
转移-模型 类型
insulated 类型
整体的 驱动, 保护 和 系统 控制 功能
• 为 upper-leg igbt
S
:驱动 电路, 高 电压 分开的 高-速 水平的 shifting, 控制 供应 下面-电压 (uv) protection.
• 为 更小的-leg igbt
S
: 驱动 电路, 控制 供应 下面-电压 保护 (uv), 短的 电路 保护 (sc).
• 故障 signaling : 相应的 至 一个 sc 故障 (更小的-leg igbt) 或者 一个 uv 故障 (更小的-一侧 供应).
• 输入 接口 : 3,5v 线条 cmos/ttl 兼容. (高 active)
• ul 批准 : 黄 card 非. e80276
维度 在 mm
便条 1 :
在 顺序 至 得到 足够的 creepage 距离 在 这 terminals, 请 引领 一些 countermeasure 此类 作 一个 slit 在 pcb.
终端 代号
1 vufs
2 (upg)
3 vufb
4 vp1
5 (com)
6 向上
7 vvfs
8 (vpg)
9 vvfb
10 vp1
11 (com)
12 vp
13 vwfs
14 (wpg)
15 vwfb
16 vp1
17 (com)
18 wp
19 (ung)
20 vno
21 un
22 vn
23 wn
24 fo
25 cfo
26 cin
27 vnc
28 vn1
29 (wng)
30 (vng)
31 p
32 u
33 v
34 w
35 nu
36 nv
37 nw
C
0.8 0.5
30.5
1.778
±
0.15
1.778
×
26 (=46.228)
16
17
18 13
14
15 10 987 654 321
11
12192021222324
35 3437 36 33 32 31
26 252728
29
30
0.5
0.5
15.25
(1.5)
35
°
(0~5
°
)
1.25
2.5
1.2
17.4 17.4
(17.6)
(6.5)
4.5
(3.5)
(17.6)
(22.1)
一个
D
BB
9
5
热温 下沉 一侧
热温 下沉 一侧
类型 名字 , lot 非.
6.7
7.62
2.54
2.54
7.62 7.62
(41)
49
(
φ
3.8)
(0.05) (0.05)
(1.5)(1)
0.8
0.8
(0.7)
非 焊盘 镀层
在 两个都 含铅的 一侧
φ
3.3
detail d
b-b
detail c
(36 终端)
42
±
0.15
(
φ
2 depth 2)
φ
3.3
所有 outer 含铅的 terminals 是 和 铅-自由 焊盘 镀层.
note1)
3.556
(2.056)
(0.278)
(0.5)
终端
SLIT
模式
(ex. pcb 布局)
PCB
(r
0.7
5)
(1)
(1.5)
detail 一个
3.556
1.75
1.2
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