©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 十一月 2002
kst42/43
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级 根基 电压
: kst42
: kst43
300
200
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: kst42
: kst43
300
200
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 500 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 350 mW
T
STG
存储 温度 150
°
C
R
TH
(j-一个) 热的 阻抗 接合面 至 包围的 357
°
c/w
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-发射级 损坏 电压
: kst42
: kst43
I
C
=100
µ
一个, i
E
=0
300
200
V
V
BV
CEO
* 集电级 -发射级 损坏 电压
: kst42
: kst43
I
C
=1ma, i
B
=0
300
200
V
V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=100
µ
一个, i
C
=0 6 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=200v, i
E
=0 0.1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
CB
=5v, i
C
=0 0.1
µ
一个
h
FE
* 直流 电流 增益
V
CE
=10v, i
C
=1mA
V
CE
=10v, i
C
=10mA
V
CE
=10v, i
C
=30mA
25
40
40
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=20ma, i
B
=2mA 0.5 V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=20ma, i
B
=2mA 0.9 V
C
ob
输出 电容
: kst42
: kst43
V
CB
=20v, i
E
=0
f=1MHz
3
4
pF
pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=20v, i
C
=10mA
f=100MHz
50 MHz
kst42/43
高 电压 晶体管
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
sot-23
1
2
3
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