5STP03X5800_集成电路资料查询网

abb 半导体 ag reserves 这 正确的 至 改变 规格 没有 注意.
V
DSM
= 6500 V
I
TAVM
= 350 一个
I
TRMS
= 550 一个
I
TSM
= 4500 一个
V
T0
=1.20V
r
T
= 2.300
m
Ω
ΩΩ
Ω
阶段 控制 thyristor
5stp 03x6500
Doc. no.5SYA1003-04Sep.01
• 专利的 自由-floating 硅 技术
• 低 在-状态 和 切换 losses
• 设计 为 traction, 活力 和 工业的 产品
• 最佳的 电源 处理 能力
• interdigitated amplifying 门
Blocking
部分 号码 5stp 03x6500 5stp 03x6200 5stp 03x5800
情况
V
DSM
V
RSM
6500 v 6200 v 5800 v f = 5 hz, t
p
= 10ms
V
DRM
V
RRM
5600 v 5300 v 4900 v f = 50 hz, t
p
= 10ms
V
RSM1
7000 v 6700 v 6300 v t
p
= 5ms, 单独的 脉冲波
I
DSM
≤
150 毫安
V
DSM
I
RSM
≤
150 毫安
V
RSM
T
j
= 125°c
dv/dt
crit
1000 v/µs exp. 至 0.67 x v
DRM
, t
j
= 125°c
V
DRM
/ v
RRM
是 equal 至 v
DSM
/ v
RSM
值 向上 至 t
j
= 110°c
机械的 数据
F
M
挂载 强迫 nom. 10 kN
最小值 8 kN
最大值 12 kN
一个
Acceleration
设备 unclamped
设备 clamped
50
100
m/s
2
m/s
2
mWeight 0.4kg
D
S
表面 creepage 距离 38 mm
D
一个
空气 strike 距离 21 mm

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abb 半导体 ag reserves 这正确的至改变规格没有注意. V DSM = 6500 V I TAVM = 350 一个 I TRMS = 550 一个 I TSM = 4500 一个 V T0 =1.20V r T = 2.300 m Ω ΩΩ Ω 阶段控制 thyristor 5stp 03x6500 Doc. no.5SYA1003-04Sep.01 • 专利的自由-floating 硅技术 • 低在-状态和切换 losses • 设计为 traction, 活力和工业的产品 • 最佳的电源处理能力 • interdigitated amplifying 门 Blocking 部分号码 5stp 03x6500 5stp 03x6200 5stp 03x5800 情况 V DSM V RSM 6500 v 6200 v 5800 v f = 5 hz, t p = 10ms V DRM V RRM 5600 v 5300 v 4900 v f = 50 hz, t p = 10ms V RSM1 7000 v 6700 v 6300 v t p = 5ms, 单独的脉冲波 I DSM ≤ 150 毫安 V DSM I RSM ≤ 150 毫安 V RSM T j = 125°c dv/dt crit 1000 v/µs exp. 至 0.67 x v DRM , t j = 125°c V DRM / v RRM 是 equal 至 v DSM / v RSM 值向上至 t j = 110°c 机械的数据 F M 挂载强迫 nom. 10 kN 最小值 8 kN 最大值 12 kN 一个 Acceleration 设备 unclamped 设备 clamped 50 100 m/s 2 m/s 2 mWeight 0.4kg D S 表面 creepage 距离 38 mm D 一个空气 strike 距离 21 mm

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