1/8六月 2003
STS1DNC45
双 n-频道 450V - 4.1
Ω
-0.4aso-8
SuperMESH™ 电源 场效应晶体管
(1)i
SD
≤
0.4 一个, di/dt
≤
100a/µs, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
jmax.
■
典型 R
DS
(在) = 4.1
Ω
■
标准 外形 为 容易
AUTOMATED 表面 挂载 组装
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
这 SuperMESH™ 序列 是 得到 通过 一个
extreme optimization 的 ST’s 好 established strip-
为基础 PowerMESH™ 布局. 在 增加 至 pushing
在-阻抗 significantly 向下, 特定的 小心 是 tak-
en 至 确保 一个 非常 好的 dv/dt 能力 为 这
大多数 要求 产品. 此类 序列 comple-
ments ST 全部 范围 的 高 电压 MOSFETs 在-
cluding revolutionary MDmesh™ 产品.
产品
■
转变 模式 低 电源 供应
(smps)
■
直流-直流 转换器
■
低 电源, 低 费用 CFL (紧凑的
FLUORESCENT lamps)
■
低 电源 电池 CHARGERS
绝对 最大 比率
(
●
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STS1DNC45 450 V < 4.5
Ω
0.4 一个
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
450 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
450 V
V
GS
门- 源 电压 ± 30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 25°C
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 100°C
0.40
0.25
一个
一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 1.6 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C 双 运作
总的 消耗 在 T
C
= 25°C 单独的 运作
1.6
2
W
W
dv/dt(1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 3 v/ns
所以-8
内部的 图式 图解
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