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2SD1606
硅 npn triple diffused
应用
低 频率 电源 放大器
外形
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7 V
集电级 电流 I
C
6 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
12 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
40 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
c 至 e 二极管 向前 电流 I
D
*
1
6 一个
便条: 1. 值 在 t
C
= 25°c.
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