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资料编号:582140
 
资料名称:RN1421
 
文件大小: 322.45K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN1421
RN1427
2002-02-08
1
toshiba 晶体管 硅 npn 外延的 类型 (pct 处理)
rn1421,rn1422,rn1423,rn1424
rn1425,rn1426,rn1427
切换, 反相器 电路, 接口 电路
和 驱动器 电路 产品

高 电流 类型 (i
C
(最大值) = 800ma)

和 建造-在 偏差 电阻器

使简化 电路 设计

减少 一个 quantity 的 部分 和 制造 处理

低 v
CE
(sat)

complementary 至 rn2401~rn2406
最大 比率
(ta = 25°c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 v
集电级-发射级 电压
RN1421~1427
V
CEO
50 v
rn1421~1424 10
rn1425, 1426 5
发射级-根基 电压
RN1427
V
EBO
6
V
集电级 电流 I
C
800 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
200 mw
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围
RN1421~1427
T
stg
55~150
°C
单位: mm
电子元件工业联合会
jeita sc-59
toshiba 2-3f1a
重量: 0.012 g (典型值.)
类型 非. r1 (k
) r2 (k
)
rn1421 1 1
rn1422 2.2 2.2
rn1423 4.7 4.7
rn1424 10 10
rn1425 0.47 10
rn1426 1 10
rn1427 2.2 10
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