电源 晶体管
1
2SC48922SC4892
2SC48922SC4892
2SC4892
硅 npn triple diffusion planar 类型
为 电源 切换
■
特性
•
高-速 切换
•
高 集电级 至 根基 电压 v
CBO
•
satisfactory 线性 的 向前 电流 转移 比率 h
FE
•
准许 供应 和 这 放射状的 taping
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
1 : 根基
2 : 集电级
3 : 发射级
mt-4 (mt4 类型 包装)
单位: mm
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
900 V
集电级 至 发射级 电压 V
CES
900 V
V
CEO
800 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7V
顶峰 集电级 电流 I
CP
2A
集电级 电流 I
C
1A
根基 电流 I
B
0.3 一个
集电级 电源
T
C
= 25
°
CP
C
15 W
消耗
T
一个
= 25
°
C2
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 900 v, i
E
= 0 50
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 7 v, i
C
= 0 50
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= 1 毫安, i
B
= 0 800 V
向前 电流 转移 比率 h
FE1
V
CE
= 5 v, i
C
= 0.05 一个 6
h
FE2
V
CE
= 5 v, i
C
= 0.5 一个 3
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 0.2 一个, i
B
= 0.04 一个 1.5 V
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
I
C
= 0.2 一个, i
B
= 0.04 一个 1 V
转变 频率 f
T
V
CE
= 10 v, i
C
= 0.05 一个, f = 1 mhz 4 MHz
转变-在 时间 t
在
I
C
= 0.2 一个, i
B1
= 0.04 一个, i
B2
=
−
0.08 一个,
1
µ
s
存储 时间 t
stg
V
CC
= 250 v 3
µ
s
下降 时间 t
f
1
µ
s
10.0
±0.2
0.65
±0.1
0.35
±0.1
2.5
±0.2
123
0.65
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
2.25
±0.2
c 1.0
0.55
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
1.05
±0.1
13.0
±0.2
4.2
±0.2
18.0
±0.5
焊盘 插件
5.0
±0.1
2.5
±0.1
90˚
1.0
±0.2
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