mitsubishi rf 电源 单元
M68772
硅 mos 场效应晶体管 电源 放大器, 890-915mhz 13w fm mobile
H11
OUTLIne drAWING
PIn:
P
在
:RFINPUT
V
GG
:门 bI作 供应
V
DD
:DRAIn bI作 供应
P
O
:rf 输出
地:F在
Dimensions在mm
1
2
3
4
5
块 d IAGRAM
4
5
32
1
8.3 +/-1
43.3 +/-1
21.3 +/-1
50.2+/-1
51.3 +/-1
60.5 +/-1
57.5 +/-0.5
1 2 3 4
5
0.45
+/-0.2
2-R1.6
+0.2
0
11+/-0.5
14+/-0.5
10+/-1
3.4+0.8
-0.4
2.3+/-0.3
(6.4)
最大 比率 (tc=25deg c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 比率 单位
VDD 供应 电压 V
GG
<5v,z
G
=Z
L
=50 ohms 17 V
VGG 门 偏差 电压 5.5 V
管脚 输入 电源 f=890-915mhz,z
G
=Z
L
=50 ohms 10 mW
Po 输出 电源 f=890-915mhz,z
G
=Z
L
=50 ohms 20 W
tc(运算) 运作 情况 温度 f=890-915mhz,z
G
=Z
L
=50 ohms -30 至 +100 deg. c
Tstg 存储 温度 -40 至 +100 deg. c
便条:在之上 参数 是 有保证的 independently.
电的 特性 (tc=25deg. c ,zg=zl=50
ohms
除非 否则 指出)
标识 参数 测试 情况 限制 单位
最小值 最大值
f 频率 范围 890 915 MHz
Po 输出 电源 V
DD
=12.5v, v
GG
=4v, 管脚=2mw 13 W
效率 总的 效率 V
DD
=12.5v, 管脚=2mw 35 %
2fo 2nd 调和的 po=13w (v
GG
调整) -30 dBc
vswr 在 输入 vswr 4 -
切换
时间
tr, tf po=13w(v
GG
调整), v
GG
: 开关
vdd=12.5v, 管脚=2mw
2.0 微观的
秒
- 稳固 Z
G
=50 ohms, v
DD
=10-16v, 管脚=1-4mw,
po=0.1-20w (v
GG
控制), 加载 vswr < 4:1
非 parasitic
振动
-
- 加载 vswr 容忍 V
DD
=15.2v,管脚=2mw,po=13w(v
GG
调整)
Z
G
=50 ohms, 加载 vswr=20:1
非 降级
或者 destroy
-
在之上 参数, 比率, 限制 和 情况 是 主题 至 改变 .
mitsubishi electric 公司 puts 这 最大 努力 在 制造 半导体 产品 更好的 和 更多
可依靠的, 但是 那里 是 总是 这 possibility 那 trouble 将 出现 和 它们. trouble 和 半导体 将 含铅的
至 个人的 伤害, fire 或者 所有物 损坏. remember 至 给 预定的 仔细考虑 至 安全 当 制造 your 电路
设计, 和 适合的 measures 此类 作 (i) placement 的 substitutive, auxiliary 电路, (ii) 使用 的 non-flammable
材料 或者 (iii) prevention 相反 任何 运转 或者 mishap.
保持 安全 第一 在 your 电路 designs!
注意
注意到 预防措施
为 处理
ELETROSTATIC
敏感的
设备
φ
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