这个 产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 这 ramtron
ramtron 国际的 公司
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 在- 1850 ramtron 驱动, colorado springs, co 80921
clude 测试 的 所有 参数. (800) 545-fram, (719) 481-7000, 传真 (719) 481-7058
www.ramtron.com
rev. 2.1
8月. 2003 1 的 14
FM25640
64kb fram 串行 记忆
特性
64k 位 ferroelectric nonvolatile 内存
•
有组织的 作 8,192 x 8 位
•
高 忍耐力 1 trillion (10
12
) 读/写
•
10 年 数据 保持
•
nodelay™ 写
•
先进的 高-可靠性 ferroelectric 处理
非常 快 串行 附带的 接口 - spi
•
向上 至 5 mhz 最大 总线 频率
•
直接 硬件 替换 为 可擦可编程只读存储器
•
spi 模式 0 &放大; 3 (cpol, cpha=0,0 &放大; 1,1)
sophisticated 写 保护 scheme
•
硬件 保护
•
软件 保护
低 电源 消耗量
•
10
µ
一个 备用物品 电流
工业 标准 配置
•
工业的 温度 -40
°
c 至 +85
°
C
•
8-管脚 soic
描述
这 fm25640 是 一个 64-kilobit nonvolatile 记忆
employing 一个 先进的 ferroelectric 处理. 一个
ferroelectric 随机的 进入 记忆 或者 fram 是
nonvolatile 但是 运作 在 其它 respects 作 一个 内存.
它 提供 可依靠的 数据 保持 为 10 年 当
eliminating 这 complexities, overhead, 和 系统
水平的 可靠性 问题 造成 用 可擦可编程只读存储器 和
其它 nonvolatile memories.
不像 串行 eeproms, 这 fm25640 执行
写 行动 在 总线 速. 非 写 延迟 是
incurred. 数据 是 写 至 这 记忆 排列 mere
hundreds 的 nanoseconds 之后 它 有 被
successfully transferred 至 这 设备. 这 next 总线
循环 将 commence 立即. 在 增加, 这
产品 提供 substantial 写 忍耐力 对照的
和 其它 nonvolatile memories. 这 fm25640 是
有能力 的 支承的 向上 至 10
12
-读/写 循环 --
far 更多 比 大多数 系统 将 需要 从 一个 串行
记忆.
这些 能力 制造 这 fm25640 完美的 为
nonvolatile 记忆 产品 需要 frequent
或者 迅速 写. examples 范围 从 数据 collection,
在哪里 这 号码 的 写 循环 将 是 核心的, 至
要求 工业的 控制 在哪里 这 长 写
时间 的 可擦可编程只读存储器 能 导致 数据 丧失.
这 fm25640 提供 substantial 益处 至 用户
的 串行 可擦可编程只读存储器, 在 一个 硬件 漏出-在
替换. 这 fm25640 使用 这 高-速 spi
总线, 这个 enhances 这 高-速 写 能力
的 fram 技术. 这 规格 是
有保证的 在 一个 工业的 温度 范围 的
-40°c 至 +85°c.
管脚 配置
管脚 names 函数
/cs 碎片 选择
/支撑 支撑
/wp 写 保护
sck 串行 时钟
SI 串行 数据 输入
所以 串行 数据 输出
vdd 5v
vss 地面
订货 信息
fm25640-s 8-管脚 soic
CS
所以
WP
VSS
VDD
支撑
SCK
SI
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2
3
4
8
7
6
5
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