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资料编号:545968
 
资料名称:PF5000
 
文件大小: 23.9K
   
说明
 
介绍:
50A 1/2 PRESS-FIT DIODE
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号PF5000的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PF5000PF50101 的 2©2002W在-T运算Electronics
pf5000 – pf5010
50a 1/2" press-合适 二极管
特性
!
diffused 接合面
!
低 泄漏
!
低 费用 一个
!
高 surge 电流 能力
!
典型 i
R
较少 比 10µa
机械的 数据
!
情况: 所有 铜 情况 和 组件
hermetically sealed d
!
terminals: 联系 areas readily solderable
!
极性: cathode 至 情况(反转 单位 是 c
有 在之上 要求 和 是 designated G
用 一个 “r” 后缀, i.e. pf5002r 或者 pf5010r)
!
极性: red 颜色 相等 标准, e
黑色 颜色 相等 反转 极性
!
挂载 位置: 任何 f
B
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
单独的 阶段, half 波, 60hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
典型的 标识 PF5000 PF5001 PF5002 PF5004 PF5006 PF5008 PF5010 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 100 200 400 600 800 1000 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 70 140 280 420 560 700 V
平均 调整的 输出 电流 @t
一个
= 150°c I
O
50 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
500 一个
向前 电压 @i
F
= 100a V
FM
1.08 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @t
一个
= 100°c
I
RM
10
500
µA
典型 接合面 电容 (便条 1) C
j
300 pF
典型 热的 阻抗 接合面 至 情况
(便条 2)
R
JC
1.2 k/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
-65 至 +175 °C
*glass 钝化的 形式 是 有 在之上 要求
便条: 1. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0v d.c.
2. 热的 阻抗: 接合面 至 情况, 单独的 一侧 cooled.
WTE
电源 半导体
做-21
Dim 最小值 最大值
一个
15.63 16.14
B
12.75 12.83
C
8.89 10.04
D
1.25 1.30
E
3.05 3.30
F
5.59 6.1
G
28.82
所有 维度 在 mm
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