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msc1326.pdf  10-25-99
MRF951
描述:
设计 为 使用 在 高 增益, 低 噪音 小-信号 放大器.
绝对 最大 比率
(tcase = 25
°
c)
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 10 Vdc
V
CBO
集电级-根基 电压 20 Vdc
V
EBO
发射级-根基 电压 1.5 Vdc
I
C
集电级 电流 100 毫安
热的 数据
P
D
总的 设备 消耗 @ tc = 75ºc
.475 Watts
Tstg
存储 接合面 温度 范围
-65 至 +150
º
C
T
Jmax
最大 接合面 温度
150
º
C
macro x
特性
•
全部地 implanted 根基 和 发射级 结构.
•
高 增益,
增益 在 最佳的 噪音 图示 = 14 db @ 1GHz
•
低 噪音 图示 – 1.3db @ 1ghz
•
ftau - 8.0ghz @ 6v, 30ma
•
费用 有效的 macro x 包装
rf &放大; 微波 分离的
低 电源 晶体管
140 commerce 驱动
montgomeryville, pa
18936-1013
phone: (215) 631-9840
传真: (215) 631-9855

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msc1326.pdf 10-25-99 MRF951 描述: 设计为使用在高增益, 低噪音小-信号放大器. 绝对最大比率 (tcase = 25 ° c) 标识参数值单位 V CEO 集电级-发射级电压 10 Vdc V CBO 集电级-根基电压 20 Vdc V EBO 发射级-根基电压 1.5 Vdc I C 集电级电流 100 毫安热的数据 P D 总的设备消耗 @ tc = 75ºc .475 Watts Tstg 存储接合面温度范围 -65 至 +150 º C T Jmax 最大接合面温度 150 º C macro x 特性 • 全部地 implanted 根基和发射级结构. • 高增益, 增益在最佳的噪音图示 = 14 db @ 1GHz • 低噪音图示 – 1.3db @ 1ghz • ftau - 8.0ghz @ 6v, 30ma • 费用有效的 macro x 包装 rf &放大; 微波分离的低电源晶体管 140 commerce 驱动 montgomeryville, pa 18936-1013 phone: (215) 631-9840 传真: (215) 631-9855

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