tlp733,tlp734
2002-09-25
1
toshiba photocoupler gaas ired&放大;photo
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晶体管
tlp733, tlp734
办公室 机器
household 使用 设备
固体的 状态 接转
切换 电源 供应
这 toshiba tlp733 和 tlp734 组成 的 一个 photo
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晶体管
optically 结合 至 一个 镓 砷化物 infrared 发出 二极管 在 一个 六
含铅的 塑料 插件.
tlp734 是 非
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根基 内部的 连接 为 高
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emi 环境.
集电级
−
发射级 电压: 55 v (最小值.)
电流 转移 比率: 50% (最小值.)
分级 gb:
1
00% (最小值.)
ul 公认的: ul
1
577, 文件 非. e67349
bsi 批准: bs en60065:
1
994
certificate 非. 7364
bs en60950:
1
992
certificate 非. 7365
semko 批准: ss4330784
certificate 非. 9325
1
63, 9522
1
42
分开 电压: 4000 v
rms
(最小值.)
选项 (d4) 类型
vde 批准: din vde0884 / 06.92,
certificate 非. 74286, 9
1
808
最大 运行 绝缘 电压: 630, 890 v
PK
最高的 容许的 在 电压: 6000, 8000 v
PK
(便条) 当 一个 vde0884 批准 类型 是 需要,
请 designate 这 “option (d4)”
7.62 mm pich
1
0.
1
6 mm pich
标准 类型 tlp×××f 类型
creepage 距离 : 7.0 mm (最小值.) 8.0 mm (最小值.)
Clearance : 7.0 mm (最小值.) 8.0 mm (最小值.)
内部的 creepage path : 4.0 mm (最小值.) 4.0 mm (最小值.)
绝缘 厚度 : 0.5 mm (最小值.) 0.5 mm (最小值.)
管脚 配置
(顶 视图)
1: anode
2: cathode
3: nc
4: 发射级
5: 集电级
6: 根基
5
6
4
2
1
3
TLP733
1: anode
2: cathode
3: nc
4: 发射级
5: 集电级
6: nc
5
6
4
2
1
3
TLP734
单位 在 mm
toshiba 11
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7A8
重量: 0.42 g
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