P75N02LS_集成电路资料查询网

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8月-02-2001
n-频道 逻辑 水平的 增强
模式 地方 效应 晶体管
P75N02LS
至-263(d
2
PAK)
niko-sem
绝对 最大 比率 (t
C
= 25 °c 除非 否则 指出)
参数/测试 情况 标识 限制 单位
门-源 电压 V
GS
±20 v
T
C
= 25 °c 75
持续的 流 电流
T
C
= 100 °c
I
D
50
搏动 流 电流
1
I
DM
170
avalanche 电流 I
AR
60
一个
avalanche 活力 l = 0.1mh E
作
140
repetitive avalanche 活力
2
 l = 0.05mh E
AR
5.6
mJ
T
C
= 25 °c 65
电源 消耗
T
C
= 100 °c
P
D
38
W
运行 接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
j
, t
stg
 -55 至 150
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) T
L
275
°C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗 标识 典型 最大 单位
接合面-至-情况
R
θ
JC
2.3
接合面-至-包围的
R
θ
JA
62.5
情况-至-散热器
R
θ
CS
0.6
°c / w
1
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2
职责 循环
≤
1
％
电的 特性 (t
C
= 25 °c, 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况
最小值 典型值最大值
单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个
25 
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1 1.5 3
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0v, v
GS
= ±20v   ±250 nA
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v   25
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v, t
J
= 125 °c   250
µ
一个
1. 门
2. 流
3. 源
产品 summary
V
(br)dss
R
ds(在)
I
D
25
5m
Ω
75A
G
D
S

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1 8月-02-2001 n-频道逻辑水平的增强模式地方效应晶体管 P75N02LS 至-263(d 2 PAK) niko-sem 绝对最大比率 (t C = 25 °c 除非否则指出) 参数/测试情况标识限制单位门-源电压 V GS ±20 v T C = 25 °c 75 持续的流电流 T C = 100 °c I D 50 搏动流电流 1 I DM 170 avalanche 电流 I AR 60 一个 avalanche 活力 l = 0.1mh E 作 140 repetitive avalanche 活力 2 l = 0.05mh E AR 5.6 mJ T C = 25 °c 65 电源消耗 T C = 100 °c P D 38 W 运行接合面 &放大; 存储温度范围 T j , t stg -55 至 150 含铅的温度 ( 1 / 16 ” 从情况为 10 秒.) T L 275 °C 热的阻抗比率热的阻抗标识典型最大单位接合面-至-情况 R θ JC 2.3 接合面-至-包围的 R θ JA 62.5 情况-至-散热器 R θ CS 0.6 °c / w 1 脉冲波宽度限制用最大接合面温度. 2 职责循环 ≤ 1 ％电的特性 (t C = 25 °c, 除非否则指出) 限制参数标识测试情况最小值典型值最大值单位静态的流-源损坏电压 V (br)dss V GS = 0v, i D = 250 µ 一个 25 门门槛电压 V gs(th) V DS = v GS , i D = 250 µ 一个 1 1.5 3 V 门-身体泄漏 I GSS V DS = 0v, v GS = ±20v ±250 nA V DS = 20v, v GS = 0v 25 零门电压流电流 I DSS V DS = 20v, v GS = 0v, t J = 125 °c 250 µ 一个 1. 门 2. 流 3. 源产品 summary V (br)dss R ds(在) I D 25 5m Ω 75A G D S

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