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资料编号:605260
 
资料名称:SFR9034
 
文件大小: 238.1K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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sfr/u9034
BV
DSS
= -60 v
R
ds(在)
= 0.14
I
D
= -14 一个
-60
-14
-9.8
56
±
25
505
-14
4.9
-5.5
2.5
49
0.39
- 55 至 +150
300
2.55
50
110
--
--
--
ν
avalanche 坚毅的 技术
ν
坚毅的 门 oxide 技术
ν
更小的 输入 电容
ν
改进 门 承担
ν
扩展 safe 运行 范围
ν
更小的 泄漏 电流 : 10
µ
一个(最大值.) @ v
DS
= -60v
ν
更小的 r
ds(在)
(典型值.)
先进的 电源 场效应晶体管
热的 阻抗
接合面-至-情况
接合面-至-包围的
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
o
c/w
典型的 最大值 单位标识 典型值
特性
*
*
当 挂载 在 这 最小 垫子 大小 推荐 (pcb 挂载).
绝对 最大 比率
流-至-源 电压
持续的 流 电流 (t
C
=25
o
c)
持续的 流 电流 (t
C
=100
o
c)
流 电流-搏动
门-至-源 电压
单独的 搏动 avalanche 活力
avalanche 电流
repetitive avalanche 活力
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
总的 电源 消耗 (t
一个
=25
o
c)
总的 电源 消耗 (t
C
=25
o
c)
直线的 减额 因素
运行 接合面 和
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5-秒
典型的 单位标识
I
DM
V
GS
E
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
I
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
W
w/
o
C
一个
o
C
V
DSS
V
*
d-pak
1. 门 2. 流 3. 源
1
2
3
i-pak
1
3
2
O
1
O
2
O
3
O
1
O
1
rev. c
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