文档 非. e0443e40 (ver. 4.0)
日期 发行 october 2005 (k) 日本
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elpida 记忆, 公司 2003-2005
数据 薄板
128m 位 ddr sdram
edd1216aata-5 (8m words
×
16 位, ddr400)
描述
这 edd1216aata 是 一个 128m 位 翻倍 数据 比率
(ddr) sdram 有组织的 作 2,097,154 words
×
16 位
×
4 banks. 读 和 写 operations 是 执行 在
这 交叉 点 的 这 ck 和 这 /ck. 这个 高-
速 数据 转移 是 realized 用 这 2 位 prefetch-
pipelined architecture. 数据 strobe (dqs) 两个都 为
读 和 写 是 有 为 高 速 和 可依靠的
数据 总线 设计. 用 设置 扩展 模式 寄存器,
这 在-碎片 延迟 锁 循环 (dll) 能 是 设置
使能 或者 使不能运转. 它 是 packaged 在 66-管脚 塑料
tsop (ii).
特性
•
电源 供应: vdd ,vddq = 2.6v
±
0.1v
•
数据 比率: 400mbps (最大值.)
•
翻倍 数据 比率architecture; 二 数据 transfers 每
时钟 循环
•
bi-directional, 数据 strobe (dqs) 是 transmitted
/received 和 数据, 至 是使用 在 capturing 数据 在
这 接受者
•
数据 输入, 输出, 和dm 是 同步 和
DQS
•
4 内部的 banks 为 concurrent 运作
•
dqs 是 边缘 排整齐 和 数据 为 读; 中心
排整齐 和 数据 为 写
•
差别的 时钟 输入 (ck 和 /ck)
•
dll aligns dq 和 dqs transitions 和 ck
transitions
•
commands entered 在 各自 积极的 ck 边缘; 数据
和 数据 掩饰 关联 至 两个都 edges 的 dqs
•
数据 掩饰 (dm) 为 写 数据
•
自动 precharge 选项 为 各自 burst 进入
•
sstl_2 兼容 i/o
•
可编程序的 burst 长度 (bl): 2, 4, 8
•
可编程序的 /cas latency (cl): 3
•
可编程序的 输出 驱动器力量: 正常的/弱
•
refresh 循环: 4096 refresh 循环/64ms
15.6
µ
s 最大 平均 periodic refresh 间隔
•
2 变化 的 refresh
自动 refresh
自 refresh
•
tsop (ii) 包装 和 含铅的 自由 焊盘 (sn-bi)
rohs 一致的
管脚 配置
/xxx indicates 起作用的 低 信号.
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(顶 视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/我们
/cas
/ras
/cs
NC
BA0
BA1
a10(ap)
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/ck
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
地址 输入
bank 选择 地址
数据-输入/输出
输入 和 输出 数据 strobe
碎片 选择
行 地址 strobe command
column 地址 strobe command
写 使能
输入 掩饰
时钟 输入
差别的 时钟 输入
时钟 使能
输入 涉及 电压
电源 为 内部的 电路
地面 为 内部的 电路
电源 为 dq 电路
地面 为 dq 电路
非 连接
a0 至 a11
ba0, ba1
dq0 至 dq15
udqs/ldqs
/cs
/ras
/cas
/我们
udm/ldm
CK
/ck
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
66-管脚 塑料 tsop(ii)
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