STD17NE03L
N - 频道 30V - 0.034
Ω
- 17A - dpak/ipak
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.034
Ω
■
EXCEPTIONAL dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
应用 朝向
描绘
■
增加 后缀 ”T4” 为 订货 在 录音带
&放大; 卷轴
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 unique ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理. 这 结果 tran-
sistor 显示 极其 高 包装 密度 为
低 在-阻抗, 坚毅的 avalanche charac-
teristics 和 较少 核心的 排成直线 步伐 因此
一个 remarkable 制造 reproducibility.
产品
■
SOLENOID 和 接转 驱动器
■
发动机 控制, 音频的 放大器
■
直流-直流 转换器
■
AUTOMOTIVE 环境
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 30 V
V
DGR
流- 门 Voltage (r
GS
=20k
Ω
)
30 V
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C17A
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
C12A
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 68 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C35W
减额 因素 0.23 w/
o
C
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 voltage 斜度 6 v/ns
T
stg
存储 Temperature -65 至 175
o
C
T
j
最大值 运行 Junction 温度 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
17 一个, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD17NE03L 30 V < 0.05
Ω
17 一个
六月 1999
1
3
DPAK
至-252
(后缀 ”t4”)
3
2
1
IPAK
至-251
(后缀 ”-1”)
1/9
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