mos 地方 效应 晶体管
描述
这 2sk2510 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管 设计
为 高 电流 切换 产品.
特性
• 超级的 低 在-阻抗
R
ds (在)1
= 20 m
Ω
(v
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个)
R
ds (在)2
= 30 m
Ω
(v
GS
= 4 v, i
D
= 20 一个)
• 低 c
iss
C
iss
= 1 600 pf 典型值
• 建造-在 g-s 保护 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
40 一个
流 电流 (脉冲波)
*
I
d(脉冲波)
±
160 一个
总的 电源 消耗 (t
c
= 25 ˚c) P
T1
35 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c) P
T2
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
*
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管
serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个 设备 是 的确 使用,
一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压
exceeding 这 评估 电压 将 是 应用 至 这个 设备.
2SK2510
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
©
1995
数据 薄板
文档 非. d10290ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 8月 1995 p
打印 在 日本
包装 维度
(在 millimeter)
10.0±0.3 4.5±0.2
3.2±0.2
2.7±0.2
2.5±0.11.3±0.2
1.5±0.2
2.54
0.7±0.1
2.54
0.65±0.1
123
3±0.14±0.2
15.0±0.3
12.0±0.213.5min.
1. 门
2. 流
3. 源
mp-45f (分开的 至-220)
身体
二极管
源
流
门
门
保护
二极管
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