非 (源
1
)
COM
nc (源
2
)
1
2
3
6
5
顶 视图
在
V+
地
4
tsop-6
设备 标记: e3xxx
DG2020
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71676
s-04456—rev. 一个, 03-8月-01
www.vishay.com
1
低-电压 单独的 asymmetrical spdt 相似物 转变
低 电压 运作 (2.7 v 至 5.5 v)
低 在-阻抗 - r
在
–
非 = 0.8
–
nc = 1.2
低 电源 消耗量
ttl/cmos 兼容
tsop-6 包装
减少 电源 消耗量
简单的 逻辑 接口
高 精度
减少 板 空间
cellular phones
交流 系统
可携带的 测试 设备
电池 运作 系统
这 dg2020 是 一个 单独的-柱子/翻倍-throw 大而单一的 cmos
相似物 转变 设计 为 高 效能 切换 的
相似物 信号. 结合 低 电源, 高 速, 低
在-阻抗和 小 物理的 大小, 这 dg2020 是 完美的 为
可携带的 和 电池 powered 产品 需要 高
效能 和 效率高的 使用 的 板 空间.
这 dg2020 是 建造 在 vishay siliconix’s 低 电压 ji2 处理.
一个 外延的 layer 阻止 latchup. 破裂-在之前-制造 是
有保证的.
这 转变 conducts equally 好 在 两个都 方向 当 在,
和 blocks 向上 至 这 电源 供应 水平的 当 止.
逻辑 NC 非
0 在 止
1 止 在
温度 范围 包装 部分 号码
-40 至 85
°
C tsop-6 DG2020DV