July1996
NDS8926
双n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
___________________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 便条
标识 参数
NDS8926
单位
V
DSS
流-源 电压 20 V
V
GSS
门-源 电压 8 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 5.5 一个
- 搏动 20
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(note1b) 1
(note1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a)
78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1)
40 °c/w
Nds8926 rev. d2
这些 n-channel 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell
密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗 和 提供
更好的 切换 效能. 这些 设备 是 特别
suited 为 低 电压 产品 此类 作 直流 发动机 控制
和 直流/直流 转换 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源
丧失, 和 阻抗 至 过往旅客 是 需要.
5.5一个, 20 v. r
ds(在)
= 0.035
Ω
@ v
GS
= 4.5V
R
ds(在)
= 0.045
Ω
@ v
GS
= 2.7 v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
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© 1997 仙童 半导体 公司
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