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RTU002P02
晶体管
1/2
2.5v 驱动
Pch
mos 场效应晶体管
RTU002P02
z
结构
z
外部 维度
(单位 : mm)
硅 p-频道 mos 场效应晶体管
z
特性
1) 低 在-阻抗.
2) 低 电压 驱动 (2.5v 驱动).
z
产品
切换
z
包装 规格
z
inner 电路
包装
代号
Taping
基本 订货 单位 (片)
RTU002P02
T106
3000
类型
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
∗
1
参数
VV
DSS
标识
VV
GSS
AI
D
AI
DP
限制 单位
流-源 电压
门-源 电压
流 电流
持续的
搏动
∗
1 pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
∗
2 各自 终端 挂载 在 一个 推荐 地带
−
20
±
12
±
0.25
±
0.5
∗
2
W
P
D
°
CTch
°
CTstg
总的 电源 消耗
频道 温度
范围 的 存储 温度
150
−
55 至
+
150
0.2
z
热的 阻抗
参数
°
c/w
rth(ch-一个)
标识 限制 单位
频道 至 包围的
625
∗
各自 终端 挂载 在 一个 推荐 地带
∗
(1) 源
(2) 门
(3) 流
∗
1 静电释放 保护 二极管
∗
2 身体 二极管
∗
2
∗
1
(3)
(2)
(1)
各自 含铅的 有 一样 维度
UMT3
abbreviated 标识 : tw
0.2
0.15
0.1min.
0.9
0.7
1.25
2.1
0.3
(
3
)
0.65
(
2
)
2.0
1.3
(
1
)
0.65
(1) 源
(2) 门
(3) 流

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RTU002P02 晶体管 1/2 2.5v 驱动 Pch mos 场效应晶体管 RTU002P02 z 结构 z 外部维度 (单位 : mm) 硅 p-频道 mos 场效应晶体管 z 特性 1) 低在-阻抗. 2) 低电压驱动 (2.5v 驱动). z 产品切换 z 包装规格 z inner 电路包装代号 Taping 基本订货单位 (片) RTU002P02 T106 3000 类型 z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) ∗ 1 参数 VV DSS 标识 VV GSS AI D AI DP 限制单位流-源电压门-源电压流电流持续的搏动 ∗ 1 pw ≤ 10 µ s, 职责循环 ≤ 1% ∗ 2 各自终端挂载在一个推荐地带 − 20 ± 12 ± 0.25 ± 0.5 ∗ 2 W P D ° CTch ° CTstg 总的电源消耗频道温度范围的存储温度 150 − 55 至 + 150 0.2 z 热的阻抗参数 ° c/w rth(ch-一个) 标识限制单位频道至包围的 625 ∗ 各自终端挂载在一个推荐地带 ∗ (1) 源 (2) 门 (3) 流 ∗ 1 静电释放保护二极管 ∗ 2 身体二极管 ∗ 2 ∗ 1 (3) (2) (1) 各自含铅的有一样维度 UMT3 abbreviated 标识 : tw 0.2 0.15 0.1min. 0.9 0.7 1.25 2.1 0.3 ( 3 ) 0.65 ( 2 ) 2.0 1.3 ( 1 ) 0.65 (1) 源 (2) 门 (3) 流

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