©2002 仙童 半导体 公司 rev. b1, 九月 2002
KSC1393
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 30 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 30 V
V
EBO
发射级-根基 电压 4 V
I
C
集电级 电流 20 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 250 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=10
µ
一个, i
E
=0 30 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=5ma, i
B
=0 30 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=10
µ
一个, i
C
=0 4 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=20v, i
E
=0 0.1
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=10v, i
C
=2mA 40 180
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=10v, i
C
=3ma 400 700 MHz
C
RE
反转 转移 电容 V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz 0.35 0.5 pF
G
PE
电源 增益 V
CE
=10v, i
C
=3mA
f=200MHz
20 24 dB
I
AGC
agc 电流 I
E
在 g
R
= -30db, f=200mhz -10 -12 毫安
NF 噪音 图示 V
CE
=10v, i
C
= 3ma
f=200MHz
2.0 3.0 dB
分类 r O Y
h
FE
40 ~ 80 60 ~ 140 90 ~ 180
KSC1393
tv vhf tuner rf 放大器 (向前 agc)
• 高 电流 增益 带宽 产品 : f
T
=700mhz (典型值.)
• 低 噪音 图示 : nf=3.0db (最大值.) 在 f=200mhz
• 低 反转 转移 电容 : c
RE
=0.5pf (最大值.)
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
至-92
1
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