1/10december 2001
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高 速: t
PD
= 3.8ns (典型值.) 在 v
CC
= 5v
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低 电源 消耗:
I
CC
= 1
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
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兼容 和 ttl 输出:
V
IH
= 2v (最小值), v
IL
= 0.8v (最大值)
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电源 向下 保护 在 输入
和 输出
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对称的 输出 阻抗:
|I
OH
| = i
OL
= 8ma (最小值)
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保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
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运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 4.5v 至 5.5v
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改进 获得-向上 免除
描述
这 74v2t125 是 一个 先进的 高-速 cmos
双 总线 缓存区 fabricated 和 sub-micron
硅 门 和 翻倍-layer metal 线路 c
2
MOS
tecnology.
3-状态 控制 输入 ng
有 至 是 设置 高 至
放置 这 输出 在 这 高 阻抗 状态.
电源 向下 保护 是 提供 在 所有 输入
和 输出 和 0 至 7v 能 是 accepted 在
输入 和 非 关于 至 这 供应 电压. 这个
设备 能 是 使用 至 接口 3v 至 5v 系统
和 它 是 完美的 为 可携带的 产品 像
个人的 数字的 assistant, camcorder 和 所有
电池-powered 设备.
所有 输入 和 输出 是 配备 和
保护 电路 相反 静态的 释放, 给
它们 静电释放 免除 和 瞬时 excess 电压.
74V2T125
双 总线 缓存区 (3-状态)
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发 是 或者 undergoing evaluation. 详细信息 主题 至 改变 没有 注意.
管脚 连接 和 iec 逻辑 symbols
顺序 代号
包装 t &放大; r
sot23-8l 74V2T125STR
sot323-8l 74V2T125CTR
sot23-8l sot323-8l
初步的 数据
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