FDS3580
fds3580 rev. b
FDS3580
80v n-频道 powertrench
TM
场效应晶体管
april 1999
初步的
1999 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 80 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
7.6 一个
- 搏动 50
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS3580 FDS3580 13’’ 12mm 2500 单位
6
7
8
5
3
2
1
4
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计 specifically
至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 使用
也 同步的 或者 常规的 切换 pwm
控制者.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的 门
承担 比 其它 mosfets 和 comparable r
ds(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源 供应
设计 和 高等级的 整体的 效率.
特性
•
7.6 一个, 80 v. r
ds(在
)
= 0.027
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.031
Ω
@ v
GS
= 6 v.
•
低 门 承担 (34nc 典型).
•
快 切换 速.
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
.
•
高 电源 和 电流 处理 能力.
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