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记忆
所有 数据 薄板 是 主题 至 改变 没有 注意
(619) 503-3300- 传真: (619) 503-3301- www.maxwell.com
(8k x 16-位) 双 端口 内存
7025E
©2002 maxwell 科技
所有 权利 保留.
高-速 cmos
08.15.02 rev 2
F
EATURES
:
• 8k x 16-位 双 端口 内存
- 保卫 alone
- 主控 从动装置
•R
AD
-p
AK
® 辐射-硬化 相反 自然的 空间
辐射
• 总的 剂量 硬度:
- > 100 克拉 (si), 取决于 在之上 空间 使命
• 极好的 单独的 事件 影响:
-sel
TH
let = >100 mev/mg/cm
2
-seu
TH
let = 7 mev/mg/cm
2
• 包装:
-84 管脚 r
AD
-p
AK
® 四方形 flat 包装
• 独立的 upper 字节 和 更小的 字节 控制 为 多路复用
总线 兼容性
• 高 速 进入 时间: 35/45 ns
• expandable 至 32 位 或者 更多 使用 主控/从动装置 选择
当 cascading
• 高 速 cmos 技术
-ttl 兼容, 单独的 5v 电源 供应
-中断 标记 为 端口-至-端口 交流
-在 碎片 端口 arbitration 逻辑
-异步的 运作 从 也 端口
D
ESCRIPTION
:
maxwell 科技’ 7025e 双 端口 内存 高 速
cmos® 微型电路 特性 一个更好 比 100 克拉 (si) 总的
剂量 容忍, 取决于 在之上 空间 使命. 这 7025e 是
设计 至 是 使用 作 一个 保卫-alone 128k-位 双 端口 内存
或者 作 一个 结合体 主控/从动装置 双-端口 内存 为 32-
位 或者 更多 文字 系统. 这个 设计 结果 在 全部-速,
错误-自由 运作 没有 the 需要 为 额外的 分离的
逻辑. 这 7025e 提供二 独立 端口 和 sepa-
比率 控制, 地址, 和 i/o 管脚 那 准许 独立,
异步的 进入 为 读 或者 写 至 任何 location 在
记忆. 一个 自动 电源 向下 特性 控制 用 cs
准许 这 在-碎片 电路系统 的各自 端口 至 enter 一个 非常 低
备用物品 电源 模式.
maxwell 科技' 专利的 r
AD
-p
AK
® 包装 technol-
ogy 包含 辐射 shielding 在 这 微型电路 包装-
age. 它 排除 这 需要 为 盒 防护 当 供应
这 必需的 辐射 防护 for 一个 存在期 在 影响范围 或者 空间
使命. 在 一个 geo 影响范围, r
AD
-p
AK
提供 更好 比 100
克拉 (si) 辐射 剂量 tolerance. 这个 产品 是 有
和 放映 向上 至 类 s.
逻辑 图解
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